日期:[2026年11月03日]
-- 华商报 --
版次:[A7]
存储涨价遇上补贴退坡
西安中低端手机承受“双重挤压”
据市场研究机构10月30日数据，10月普通内存芯片（DDR4、8Gb容量规格）的长期合同平均价升到27.5美元，是2016年调查启动时2.9美元的近9.5倍。同一天，另一家机构的数据显示：2026年第三季度，三星、SK海力士、美光、铠侠、闪迪五家存储芯片厂合计营业利润约32万亿日元，是去年同期的10倍，首次在总量上超过苹果、微软、亚马逊、Meta、Al-phabet（谷歌母公司）五大美国科技巨头的合计利润。
就在成本端持续上涨时，西安市场的数码补贴又在退坡：四季度改为付款立减5%、单件最高500元，另叠加5%消费礼包（500元封顶），但中低端手机基本被挡在补贴门外。存储芯片厂利润和手机厂出货，正朝相反方向跑。
利润往上游走，低端机或先退场
三星电子10月29日详细财报确认，营业利润107.44万亿韩元，同比增长783%，成为全球首家单季营业利润突破100万亿韩元的科技企业。但三星利润暴增主要来自存储部门，手机业务同样因存储成本上涨承压。利润在三星内部从手机终端转向存储，和整个产业利润从下游手机厂转向上游芯片厂，是同一个方向。
终端收缩集中在低端。消息称小米、OPPO全年整机订单下调超过20%，vivo下调近15%，传音目标压到7000万台以下，削减主要集中在中低端机型和海外产品线。三星手机动作更具体：9月下旬向合作公司分享的2027年OLED（有机发光二极管）版GalaxyA系列出货目标原为1.2亿部，现下调至1亿部。按供应链信息，存储厂商对头部手机厂商的报价已涨到原来的约四倍。这将导致低端机或先退场。
AI内存抢产能，DDR4反而比DDR5贵
HBM（高带宽内存，主要给AI芯片用）切走了产能。东吴证券测算，HBM产能占DRAM（动态随机存取内存）总产能的比重从2024年12.3%升至2026年20.8%，2027年达22.5%；数据显示，三星、SK海力士、美光三大原厂HBM投料生产占DRAM总投料的比重，从2025年底约18%升至2026年底22%，2027年底预计达30%。但按容量算，HBM供给占总DRAM容量供给同期仅从8%升至9%。也就是说，近四分之一晶圆投给HBM，却只产出约十一分之一的容量供应。
更直接的结构断裂在DDR4（老一代内存规格）。SK海力士把DDR4产能占比从2024年30%压到2025年底20%，计划2026年全面停产；美光也通知客户，DDR4只保留车用和工业定制化产能。中低端手机主芯片仍主要支持DDR4及以下规格，短期无法切到DDR5（新一代内存规格），供需缺口持续扩大。
成本在涨，补贴在退，两个变量同向挤压
成本压力先落在低端机账本上：一台4GB+128GB千元机，存储成本占整机BOM（物料成本清单）从2025年三季度22%升至2026年三季度64%，同比升42个百分点。业内人士坦言：“单台机型存储成本增量将完全吞噬终端厂家低端产品全部利润。”国际数据公司中国研究经理郭天翔给出类似区间：低端机存储BOM占比从正常年份10%-15%升到40%-50%。
目前西安第三季度数码补贴10月8日截止；四季度补贴10月11日起发放，改为付款立减5%、单件最高500元，另叠加5%消费礼包（500元封顶），补贴品类限定无人机、相机以及售价6000元以上手机和平板电脑共4类，三季度原有补贴同步停止执行。
存储利润向上游集中、千元机存储成本占比升到64%、西安数码补贴从10%退到5%，在同一时点叠加。低端机面临的价格压力和供给收缩，是上游产能分配、终端成本结构、本地消费支撑三方共同挤压的结果。 华商报大风新闻记者 申伊禾
就在成本端持续上涨时，西安市场的数码补贴又在退坡：四季度改为付款立减5%、单件最高500元，另叠加5%消费礼包（500元封顶），但中低端手机基本被挡在补贴门外。存储芯片厂利润和手机厂出货，正朝相反方向跑。
利润往上游走，低端机或先退场
三星电子10月29日详细财报确认，营业利润107.44万亿韩元，同比增长783%，成为全球首家单季营业利润突破100万亿韩元的科技企业。但三星利润暴增主要来自存储部门，手机业务同样因存储成本上涨承压。利润在三星内部从手机终端转向存储，和整个产业利润从下游手机厂转向上游芯片厂，是同一个方向。
终端收缩集中在低端。消息称小米、OPPO全年整机订单下调超过20%，vivo下调近15%，传音目标压到7000万台以下，削减主要集中在中低端机型和海外产品线。三星手机动作更具体：9月下旬向合作公司分享的2027年OLED（有机发光二极管）版GalaxyA系列出货目标原为1.2亿部，现下调至1亿部。按供应链信息，存储厂商对头部手机厂商的报价已涨到原来的约四倍。这将导致低端机或先退场。
AI内存抢产能，DDR4反而比DDR5贵
HBM（高带宽内存，主要给AI芯片用）切走了产能。东吴证券测算，HBM产能占DRAM（动态随机存取内存）总产能的比重从2024年12.3%升至2026年20.8%，2027年达22.5%；数据显示，三星、SK海力士、美光三大原厂HBM投料生产占DRAM总投料的比重，从2025年底约18%升至2026年底22%，2027年底预计达30%。但按容量算，HBM供给占总DRAM容量供给同期仅从8%升至9%。也就是说，近四分之一晶圆投给HBM，却只产出约十一分之一的容量供应。
更直接的结构断裂在DDR4（老一代内存规格）。SK海力士把DDR4产能占比从2024年30%压到2025年底20%，计划2026年全面停产；美光也通知客户，DDR4只保留车用和工业定制化产能。中低端手机主芯片仍主要支持DDR4及以下规格，短期无法切到DDR5（新一代内存规格），供需缺口持续扩大。
成本在涨，补贴在退，两个变量同向挤压
成本压力先落在低端机账本上：一台4GB+128GB千元机，存储成本占整机BOM（物料成本清单）从2025年三季度22%升至2026年三季度64%，同比升42个百分点。业内人士坦言：“单台机型存储成本增量将完全吞噬终端厂家低端产品全部利润。”国际数据公司中国研究经理郭天翔给出类似区间：低端机存储BOM占比从正常年份10%-15%升到40%-50%。
目前西安第三季度数码补贴10月8日截止；四季度补贴10月11日起发放，改为付款立减5%、单件最高500元，另叠加5%消费礼包（500元封顶），补贴品类限定无人机、相机以及售价6000元以上手机和平板电脑共4类，三季度原有补贴同步停止执行。
存储利润向上游集中、千元机存储成本占比升到64%、西安数码补贴从10%退到5%，在同一时点叠加。低端机面临的价格压力和供给收缩，是上游产能分配、终端成本结构、本地消费支撑三方共同挤压的结果。 华商报大风新闻记者 申伊禾